Samsung Electronics introducerede i dag de nye Samsung 850 EVO SSD-drev, som er fremstillet ved hjælp af den revolutionerende 3-bit 3D V-NAND-teknologi. De nyeste drev fra værkstedet for hukommelsesmarkedslederen tilbyder en betydelig stigning i ydeevne og udholdenhed sammenlignet med deres forgængere, hvilket gør dem velegnede til brug i almindelige computere. Det kan være en fornøjelse for vores marked, at Samsung begynder at sælge dem i denne måned i 53 lande i Europa, Asien og også i USA.
Virksomheden introducerede allerede Samsung 850 PRO SSD-drevene i juli/juli i år, som brugte 2-bit 3D V-NAND-teknologi, men disse drev var primært beregnet til professionel brug i avancerede computere eller i små og mellemstore virksomhedens servere. De nyeste 850 EVO-drev er dog allerede velegnede til brug blandt almindelige forbrugere, såsom i notebooks og gaming-computere. Samsung siger, at Samsung 850 EVO-drevene vil blive solgt i 120GB, 250GB, 500GB og 1TB versioner. Diskene har en læsehastighed på 540 MB/s og en skrivehastighed på 520 MB/s.
1 TB hukommelsesversionen har også TurboWrite-teknologi, som sikrer tilfældige skrivehastigheder på op til 90K IOPS, hvilket skaber hurtig lagring til multitasking og store datamængder. Samsung forsikrer, at deres nye drev kan modstå at skrive 80 GB data om dagen i 5 år i modeller med 1 TB og 500 GB kapacitet. Virksomheden afslørede endelig sine planer for fremtiden og planlægger at udvide 850 EVO-serien med nye modeller til mSATA- og M.2-standarderne næste år.
// < 
// < 