Halvlederdivisionen Samsung Foundry meddelte, at den har startet produktion af 3nm-chips på sin fabrik i Hwasong. I modsætning til den tidligere generation, som brugte FinFet-teknologi, bruger den koreanske gigant nu GAA (Gate-All-Around) transistorarkitektur, hvilket øger energieffektiviteten markant.
3nm chips med MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA-arkitektur vil opnå højere energieffektivitet blandt andet ved at reducere forsyningsspændingen. Samsung bruger også nanoplade-transistorer i halvlederchips til højtydende smartphone-chipsæt.
Fotogalerie
Sammenlignet med nanowire-teknologi giver nanoplader med bredere kanaler højere ydeevne og bedre effektivitet. Ved at justere bredden af nanopladerne kan Samsung-klienter skræddersy ydeevne og strømforbrug til deres behov.
Du kunne være interesseret i
Sammenlignet med 5nm-chips har de nye ifølge Samsung 23 % højere ydeevne, 45 % lavere energiforbrug og 16 % mindre areal. Deres 2. generation skulle så tilbyde 30 % bedre ydeevne, 50 % højere effektivitet og et 35 % mindre område.
"Samsung vokser hurtigt, da vi fortsætter med at demonstrere lederskab i anvendelsen af næste generations teknologier i produktionen. Vi sigter mod at fortsætte dette lederskab med den første 3nm-proces med MBCFETTM-arkitekturen. Vi vil fortsætte med aktivt at innovere i konkurrencedygtig teknologiudvikling og skabe processer, der hjælper med at accelerere opnåelsen af teknologisk modenhed." sagde Siyoung Choi, leder af Samsungs halvlederforretning.
