Samsung begyndte i dag masseproduktion af sine nye DDR3 DRAM-moduler ved hjælp af en 20 nanometers fremstillingsproces. Disse nye moduler har en kapacitet på 4Gb, altså 512MB. Den tilgængelige hukommelse for individuelle moduler er dog ikke deres primære funktion. Fremgangen ligger netop i brugen af en ny produktionsproces, som giver op til 25 % lavere energiforbrug sammenlignet med den ældre, 25 nanometer proces.
Skiftet til 20-nm-teknologi er også det sidste trin, der adskiller virksomheden fra at starte produktionen af hukommelsesmoduler ved hjælp af 10-nm-processen. Den teknologi, der i øjeblikket bruges til nye moduler, er også den mest avancerede på markedet og kan bruges ikke kun med computere, men også med mobile enheder. For computere betyder det, at Samsung nu er i stand til at skabe chips med samme størrelse, men med en væsentlig større driftshukommelse. Samsung måtte også modificere sin eksisterende teknologi for at kunne gøre chipsene mindre og samtidig bevare den nuværende fremstillingsmetode.
- Du kan være interesseret i: Samsung har udviklet den første 8Gb LPDDR4 mobil DRAM-hukommelse
